（美）Michael Quirk，（美）Julian Serda著；韩郑生等译2004 年出版600 页ISBN：7505394932
在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进...
刘文平著；刘佑宝审2013 年出版222 页ISBN：9787030387028
本书重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、C...
张波；罗小蓉；李肇基著2015 年出版454 页ISBN：7564732628
本书分为七章，第一章为前言；第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术；第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造；第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术，并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高...
吴丽娟著2019 年出版192 页ISBN：9787563556618
本书共五章，第一章概述，首先介绍了功率半导体器件，在此基础上介绍横向功率器件耐压层，耐压层的作用基础与分析方法，耐压层的特殊性。第二章主要介绍异质耐压层分类和工作机理；第三章分析ENDIF耐压层电荷场优化；......
（美）夸克（Quirk，M.）等著2006 年出版666 页ISBN：7121027100
在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进...
（瑞典）比约恩·埃克布洛姆（Bjon Ekblom）主编；陈易章等译（北京体育大学足球教研室）2003 年出版280 页ISBN：7500923252
