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第一部分 基础性实验 1

实验一 四探针法测量半导体电阻率 3

实验二 椭圆偏振法测量薄膜厚度和折射率 10

实验三 激光测定单晶硅的晶向 18

实验四 荧光分光光度计测试半导体光致发光 22

实验五 紫外-可见分光光度计测试光谱 30

实验六 MOS结构的高频电容-电压特性测试 35

实验七 半导体材料的霍尔系数和电阻率 42

实验八 半导体材料的塞贝克系数测定 49

实验九 光刻工艺 55

第二部分 提高性实验 61

实验十 肖特基二极管的伏安特性测量 63

实验十一 电感耦合等离子体化学气相沉积法制备硅基薄膜 67

实验十二 射频溅射法沉积氧化物薄膜 71

实验十三 热丝化学气相沉积制备非晶碳基薄膜 80

实验十四 场效应晶体管的性能测定 85

实验十五 太阳能电池参数测定 93

第三部分 创新性实验 99

实验十六 静电纺丝制备半导体纳米材料 101

实验十七 微弱电能信号的测量与收集 104

实验十八 光化学电池型自供能紫外探测器 110

实验十九 锂离子电池的组装与性能 117

实验二十 超级电容器的性能测量 126

实验二十一 纳米氧化物半导体材料TiO2光催化性能 136

实验二十二 气敏传感器的组装与性能 142

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