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第一章 硅材料 1

1.1 材料 1

1.2 硅的物理特性 2

1.3 硅的电学特性 4

1.4 加工 19

1.5 切片 23

1.6 抛光单晶硅片的规格、订购和测定 25

第二章 外延淀积 32

2.1 外延工艺概述 32

2.2 外延淀积用的材料 39

2.3 现有的外延淀积系统 40

2.4 外延层淀积 42

2.5 基座选择和操作 45

2.6 外延淀积层的测定 48

2.7 安全措施 52

2.8 检查及排除故障 53

2.9 蓝宝石上的外延淀积 55

2.10 介质隔离 56

2.11 MOS多晶硅栅 58

2.12 低压淀积 59

第三章 扩散和氧化 62

3.1 引言 62

3.2 费克定律 62

3.3 高斯分布 64

3.4 扩散系数和固溶度 64

3.5 典型扩散工艺 68

3.6 氧化 88

3.7 离子注入 105

附录：气体使用说明书 112

第四章 光刻 127

4.1 引言 127

4.2 工艺步骤 128

4.3 光刻胶的种类 130

4.4 涂胶 132

4.5 曝光系统 134

4.6 显影/坚膜 137

4.7 腐蚀 138

4.8 去胶 140

第五章 金属化 142

5.1 引言 142

5.2 金属淀积技术 142

5.3 金属化工艺 152

5.4 合金化 153

第六章 工艺控制 155

6.1 引言 155

6.2 控制系统 155

6.3 器件评价模型化 164

6.4 设备校准和维修 165

6.5 工艺控制技术 169

6.6 探针测试 171

6.7 结深测量 177

6.8 测量少数载流子寿命 178

6.9 扫描电子显微镜 179

6.10 MOS工艺所需的工艺控制 180

6.11 测试图形概念 182

6.12 原材料制备 183

6.13 外延材料 183

6.14 硅片制备 184

6.15 扩散 184

6.16 光刻 185

第七章 硅技术的前景 189

7.1 引言 189

7.2 亚微米技术 190

参考文献 199

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