书籍介绍
本书作者对于MOS晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真，以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中，作者详细讨论了PSP和EKV模型的主流发展，比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型，这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中，作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后，介绍了诸如VHDL-AMS和Verilog-A等硬件描述语言，说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。
图书目录
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