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下册目录 209

第六章Ⅲ-Ⅴ族化合物的相平衡和制备 209

§23固液平衡相图 209

§24蒸气压 213

§25压力和温度的控制 220

§26原料提纯 225

§27化合物的合成和单晶生长 228

§28化合物的区域提纯 237

参考文献 241

第七章Ⅲ-Ⅴ族化合物的特性和杂质 243

§29化合物的化学键与晶体结构 244

§30极性对禁带宽度和载流子迁移率的影响 252

§31极性对腐蚀和晶体生长的影响 262

§32 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 267

§33 Ⅲ-Ⅴ族化合物之间的固溶体 273

参考文献 277

第八章化合物半导体的化学比问题。硫化物和氧化物 280

§34化合物半导体的缺陷 281

§35化学比的偏离。硫化物和氧化物的气氛处理 293

§36从气相中生长单晶 305

§37晶粒间界和非单晶样品 316

参考文献 321

第九章缺陷、杂质互作用的几个问题 323

§38杂质溶解度的相互影响 323

§39硅中氧的反应 331

§40锗中铜的扩散 340

参考文献 346

附录 348

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