光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术

光泵浦面发射半导体激光器是一种新型的半导体激光器，它兼有常规电泵浦边发射和面发射半导体激光器的优点，具有输出功率高、光束质量好、转换效率高、光谱调谐范围宽、输出波长覆盖紫外到中红外波段等突出优势，已经成为当前国际研究的热点之一。本书针对光泵浦面发射半导体激光器的设计理论、制备工艺及输出特性展开了详尽介绍，内容包括半导体增益介质芯片设计与外延生长、芯片封装制备工艺、芯片的热特性、激光器输出特性及其调制特性等。