纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究

本书主要研究基于MEMS技术与CMOS工艺制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极（S）和漏极（D）的MOSFET压/磁多功能传感器，在同一芯片上采用同一敏感器件完成对压、磁信号的同时检测，从基本结构设计、工作原理、特性分析等方面进行论述，研究不同条件对传感器特性的影响，实现压力、磁传感器的集成一体化研究。