MOS集成电路工艺与制造技术

本书系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗﹑氧化﹑扩散﹑离子注入﹑外延﹑化学气相淀积﹑光刻与腐蚀/刻蚀﹑金属化与多层布线﹑表面钝化以及工艺集成制造技术。前面1～10章, 一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程是由依一定次序的各工序所组成，而工序是由各工步所构成来实现，而工步中的各种工艺是由其规范来确定，工艺规范是由其规范号和和工艺序号（i）得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面1～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。11～13章将介绍CMOS和LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程，并与工艺制程的剖面结构相对应。