碳化硅晶体生长与缺陷

硅元素和碳元素是大自然赐予人类的两个极为珍贵的物质礼物，我们可以说，如果没有它们，人类社会的生产和生活活动将会终止。虽然硅和碳是自然界中最丰量的元素，但在地球长达数十亿年的演化过程中，却没有形成有工业应用价值的结晶态碳化硅矿物。迄今为止，人们只是在金刚石或火山岩中发现了少量共生的天然结晶态碳化硅。实现碳化硅材料的人工制备，包括碳化硅陶瓷材料和碳化硅晶体，并将其运用到社会生产与生活的许多方面，是人类在近现代材料研究与工业技术领域的一个重大创造。本书是国家重点项目《PVT法碳化硅晶体生长与缺陷研究》的系统总结。共四章：第一章，着重介绍了碳化硅晶体的多型结构和表征方法。第二章，从硅－碳二元体系相图研究入手，系统介绍了对PVT法碳化硅晶体生长系统的认识，比较了它与其他晶体生长技术和气相材料制备技术的异同，认为在这类有组织的复杂系统中，可控变量之间存在着强耦合。第三章，集中讨论了PVT法碳化硅晶体生长体系中的气相组份SimCn和碳化硅晶体的生长机制。第四章，集中讨论了多型共生缺陷、镶嵌结构缺陷、堆垛层错、孔道与微管道等结晶缺陷的涵义、特征、在晶体中的运动、以及与其他类型结晶缺陷的关系。