纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化

本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性（Negative bias temperature instability – NBTI）和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。