硅基应变半导体物理

能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性，发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移丰模型， 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。