宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色

本著作采用透射电镜近阀能辐照技术，对IIa型、IIb型、Ia型、Ib型等多种金刚石进行电子辐照以形成孤立的本征缺陷，通过研究光致发光光谱中光学中心的振动光谱、扩散情况，以及应力、杂质、紫外照射对光学中心强度与分裂情况的影响，结合同位素辅助技术，根据同位素引起缺陷质量变化而造成局部振动模偏移的特征，最后阐明金刚石光学中心对应的缺陷结构及电荷状态，并揭示其光致变色机理，为金刚石半导体器件制备及性能调控提供理论基础。