磁掺杂拓扑绝缘体拓扑性质研究及新型拓扑材料的寻找

拓扑绝缘体是目前物理学热点领域之一，对其磁掺杂是实现新奇量子效应的有效途径；寻找新型拓扑材料是提升拓扑绝缘体性能的重点。在该论文中作者在此前的理论和实验的基础上，运用电子结构计算和低能有效模型，结合实验数据，系统分析了Cr掺杂Bi2Se3、Sb2Te3等材料的电子结构，对形成磁序及发生拓扑相变的条件展开理论探索;同时成功预测新型拓扑材料。