氧化锌半导体材料掺杂技术与应用

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能。但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷（如空位氧Vo和间隙锌Zni），对受主产生高度自补偿作用，天然为n型半导体，难以实现p型转变。ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术，也一直是ZnO研究中的主要课题，目前已取得重大进展，本书对此进行了详细阐述。